Dlaczego jedno złącze to za mało?
W poprzedniej części zatrzymaliśmy się na granicy dwóch światów: półprzewodnika typu p i typu n. Przyjrzeliśmy się temu, co dzieje się w chwili ich zetknięcia. Pojawił się obszar zubożony, powstała bariera potencjału, a układ – choć dynamiczny w sensie mikroskopowym – osiągnął stan równowagi. Dyfuzja nośników i ich dryf pod wpływem pola elektrycznego zrównoważyły się.
To właśnie ta równowaga – tak drobiazgowo opisana w klasycznych opracowaniach Sze i Ng [1], Pierret [2], Streetman i Banerjee [3] czy Neamena [4] – czyni złącze p–n elementem niezwykle interesującym. Nie jest to już kawałek krzemu o jednorodnej strukturze. To układ, w którym materia sama wytwarza barierę energetyczną, reagując na różnicę koncentracji nośników.
Wystarczyło jedno złącze, by powstała dioda – element, który przewodzi w jedną stronę, a w drugą skutecznie blokuje przepływ. Z punktu widzenia inżyniera to ogromny krok. Można prostować prąd, można separować sygnały, można budować zasilacze.
Ale w tym miejscu pojawia się pytanie, które nie daje spokoju: czy to już maksimum możliwości, jakie daje nam półprzewodnikowa fizyka?

