Od bariery potencjału do idei wzmacniania w tranzystorze bipolarnym
Dlaczego jedno złącze to za mało? W poprzedniej części zatrzymaliśmy się na granicy dwóch światów: półprzewodnika typu p i typu n. Przyjrzeliśmy się temu, co dzieje się w chwili ich zetknięcia. Pojawił się obszar zubożony, powstała bariera potencjału, a układ – choć dynamiczny w sensie mikroskopowym – osiągnął stan ró…
Czytaj dalej →